IGBT模组静态参数测试仪器

IGBT模组静态参数测试仪器

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IGBT简介:

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。


IGBT测试难点:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。


IGBT模组静态参数测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等,填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺,为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台,以及相关技术服务,满足行业对测试效率、测试精度,以及低成本的挑战。


那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V输出及测量电流0~100mA支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

E300高电压源测单元


HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

HCPL100型高电流脉冲电源


P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脉冲源表


总之,IGBT模组静态参数测试需要的仪器是一系列的,具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦!详询一八一四零六六三四七六

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